PHB112N06T,118

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

PHB112N06T,118 datasheet

• Маркировка
  PHB112N06T,118
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PHB112N06T,118 Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 75A Drain To Source Voltage (vdss): 55V Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 87nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 4352pF @ 25V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: D??Pak, TO-263 (2 leads + tab) Power - Max: 200W Rds On (max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V Series: TrenchMOS?„? Vgs(th) (max) @ Id: 4V @ 1mA Other Names: 934056648118, PHB112N06T /T3
• Количество страниц
  14 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PHB112N06T,118.pdf
Файл формата Pdf 96,96 KB